Keterampilan memahami potensi bawaan dalam junction semikonduktor sangat penting untuk merancang dan menganalisis perangkat elektronik Artikel ini mengeksplorasi metode praktis untuk menentukan parameter penting ini secara akurat.

Metode Metode 1: Pengukuran Kapasitan-Volakan (C-V)

Pengukuran C-V morfoid melibatkan menganalisis wilayah penipisan suatu diode. Dengan menerapkan bias terbalik dan mengukur kapafit, potensi bawaan dapat dihitung menggunakan relasi:

[[NALALT:0]]V bi = (kT/q) * In(N A * N D / n i^2) + V R[

Dimana lemador V bi adalah potensi bawaan, N A dan N D adalah konsentrasi doping, n i adalah konsentrasi pembawa intrinsik, V R adalah bias terbalik yang diterapkan, dan simbol lain memiliki makna yang biasa mereka.

Metode Metode Metode Metode Metode Metode 2: Metode Voltase Open-Circuit

Metode ini mengukur tegangan tegangan tegangan tegangan tegangan tegangan tegangan-terbuka (V OC) dari diode di bawah iluminasi.V OC terkait dengan potensi bawaan oleh persamaan:

[[GALAL:0]]V OC ⁇ V bi - (kT/q) * ln(I L / I 0)

Ini, I L adalah fotocurrent, dan I 0 adalah arus ketepuan. Dengan mengukur V OC dan mengetahui nilai-nilai yang ada saat ini, V bi dapat diperkirakan.

Metode Isolog 3: Elektroluminesensi dan Fotoluminesensi

Metode-metode optikologi analisa melibatkan menganalisis spektra emisi dari junction.Panjang gelombang emisi puncak berkaitan dengan celah energi, yang dapat digunakan untuk menentukan potensi bawaan secara tidak langsung.

Metode-metode ini berguna untuk material di mana pengukuran listrik yang menantang.

Ringkasan

  • Pengukuran Kapabilitas-Voltage Kehandalan
  • Metode Voltage Open-Circuit
  • Analisis emisi optik