Å forstå hvordan man beregner gevinst og inngangs-/utgangsmotstand i bipolar tverrtransistorer (BJT) er viktig for å designe og analysere elektroniske kretser. Disse parametrene påvirker ytelsen og stabiliteten til forsterkere og andre BJT-baserte enheter.

Gain i Bipolar Junction Transistors

Den nåværende gevinsten, ofte betegnet som β (beta), er forholdet mellom samlerstrøm (I] C] til basestrøm (I] B]]. Den indikerer hvor mye transistoren forsterker inngangssignalet.

Spenning gevinst avhenger av kretskonfigurasjon og belastningsmotstand. I felles emitterkonfigurasjoner kan spenningsgevinsten (A] v) tilnærmes som:

A]v ⁇ -g]m] R C]

hvor g]m er translederen og R]C] er samlerens belastningsmotstand.

Inngangsmotstand av BJT

Inngangsmotstanden (r] i]) i en BJT er den sedde motstanden som ser inn i baseterminalen. Den bestemmes primært av base-emitter-forbindelsen og transistorens nåværende gevinst.

For småsignalanalyse kan r i tilnærmet være:

i] ⁇ r]π] = β / g]m]]

Utgangsmotstand fra BJT

Utgangsmotstanden (r] ut] er motstanden som ser inn i samleterminalen. Det påvirker spenningsreguleringen og oppnår stabilitet i kretsen.

I småsignalmodeller er r ut ofte tilnærmet av samleress R] C parallelt med transistorens iboende utgangsmotstand r]o].

  • Gain avhenger av kretskonfigurasjon og belastning
  • Inngangsmotstand bestemmes hovedsakelig av basis-emitter-forbindelsen.
  • Utgangsmotstand påvirker spenningsregulering
  • β (beta) er en nøkkelparameter for gjeldende amplifisering