Målebærerens mobilitet i halvledere er avgjørende for å forstå deres elektriske egenskaper. Aksessive måleteknikker hjelper til med utvikling og optimalisering av elektroniske enheter. Flere metoder brukes til å bestemme hvor raskt lade bærere beveger seg i et materiale.

Hall Effect Måling

Halleffekten er en mye brukt teknikk for å måle bæremobilitet. Det innebærer å påføre et magnetfelt vinkelrett på strømstrømmen i en halvleder. Den resulterende Hallspenning er proporsjonal med bærerkonsentrasjonen og mobiliteten.

Denne metoden gir direkte informasjon om både bærertype og mobilitet. Den er egnet for tynn filmer og bulk materialer og brukes vanligvis i forskningslaboratorium.

Tidsbelysningsmetode

Teknikken for tidsav-flight (TOF) måler transitttiden for bærere over en prøve under et påført elektrisk felt. Korte laserpulser genererer bærere, og deres bevegelse spores over tid.

Denne metoden er effektiv for høy-mobilitet materialer og gir informasjon om bæredynamikk. Det krever spesialisert utstyr og brukes ofte i avanserte forskningsinnstillinger.

Fett-Effect Transistor (FET) Metode

Transportørmobilitet kan også ekstraheres fra de elektriske egenskapene til felteffekttransistorer. Ved å analysere overførings- og utgangskurvene kan mobiliteten til ladebærere i kanalen beregnes.

Denne teknikken er praktisk for halvlederenhetsfremstilling og testing. Den gir mobilitetsdata som er relevante for faktiske driftsforhold.

  • Hall Effect Måling
  • Tidsbelysningsmetode
  • Felt-Effect Transistor Metode