Forstå kondensansen av MOFET-er er avgjørende for å designe kretser som krever høyhastighetsbryter. Akkumulære beregninger bidrar til å optimalisere ytelse og redusere strømtap. Denne artikkelen gir en oversikt over viktige konsepter og beregningsmetoder relatert til MOFET-kondensanse.

Typer av MOFSET kapasit

MASSONETER har tre hovedkondensanser: gate-to-source (C]gs]), gate-to-drain (C]gd]), og dren-to-source (C]ds]). Disse kondensansene påvirker skiftende hastighet og strømforbruk. Cgs og Cgd] er dynamiske, skiftende med spenning, mens Cdsds er hovedsakelig parasittiske.

Beregner portkapasitasjon

Port-til-kilde-kondensansen (C]gs]) kan estimeres ved hjelp av portoksydkondensansen per enhetsområde (C]oks) og portområdet (A):

C]gs] ⁇ C]oks × A]

Når C]oks beregnes som:

C]ox = ε]oks / t]]oks]]

Effekt på bryterhastighet

Kapasitansen påvirker byttetiden til MOFSET-ene. Tidskonstanten (τ) er gitt ved:

τ = R × C

hvor R er motstanden i kretsen. Lavere kondensanse resulterer i raskere bytte, som er kritisk i høyhastighetsapplikasjoner.

Eksempel på praktisk beregning

Gitt en MOFET med en portoksydtykkelse på 2 nm og en oksiddielektrisk konstant (ε]oks]) på 3,9 × 8,85 × 10]-12] F/m og et portområde på 10 μm × 10 μm, beregnes portkapasitansen som følger:

Coks = (3.9 × 8.85 × 10]]-12]) / (2 × 10-9]]) = 1.72 × 10]-3]] F/m] 2

A = 10 μm × 10 μm = 1 × 10]-10] m]2]

C]gs ⁇ 1,72 × 10]-3] × 1 × 10]-10]] = 1,72 × 10]-13]