Forstå hvordan man beregner samler-emitterspenningen (V] CE]) er viktig for å analysere transistorkretser. Denne spenningen indikerer driftstilstanden til transistoren og hjelper til med å designe og feilsøke elektroniske enheter.

Grunnleggende konsept av V

Samler-emitterspenningen er spenningsforskjellen mellom samleren og utsenderterminaler av en bipolar krysstransistor (BJT). Det er en nøkkelparameter som bestemmer om transistoren er i avskjæring, aktiv eller metning modus.

Beregner V i en krets

For å beregne V identifiserer du forsyningsspenningen og spenningene på tvers av andre komponenter som er koblet til samleren og senderen. Bruk Kirchhoffs Spenning Law (KVL) til å summere spenninger rundt kretssløyfen.

For eksempel i en enkel felles-emiter konfigurasjon:

  • Fastsett samlespenningen (V] C] ved å trekke spenningsfallet over samleresistansen fra forsyningsspenningen.
  • Finn emitterspenningen (V]E]) ved å måle eller beregne spenningen over emittermotstanden.
  • Beregn V som V] C] minus V]E]].

Eksempelberegning

Antak at forsyningsspenningen (V]CC]) er 12V, samleresistoren (R] C]) er 2khkh, og samlerstrømmen (I C) er 1mA. Samlerspenningen (V] C) er:

V]C] = V]CC] - I C] × R]C] = 12V - (0,001A × 2000®) = 12V - 2V = 10V.

Hvis sendermotstanden (R]E]) er 1kh og senderstrømmen (I]E]) er ca. 1mA, så er emitterspenningen (VE):

V]E] = I]E] × RE]] = 0,001A × 1000® = 1V.

Til slutt er samlespenningen (V]CE)

V]CE = V]C] - VE] = 10V - 1V = 9V.