Alegerea MOSFET dreapta pentru un circuit presupune înțelegerea rezistenței sale on-, cunoscut sub numele de Rds (on). Acest parametru afectează eficiența de putere și generarea de căldură. Calculul exact al Rds (on) ajută la selectarea unui dispozitiv care îndeplinește cerințele de performanță în timp ce minimizarea pierderii de energie.

Înțelegerea RDS (on)

Rds (on) este rezistența dintre terminalele de scurgere și sursă atunci când MOSFET este complet pornit. Valorile Rds (on) mai mici indică o mai bună conducere cu disipare mai puțină a puterii. Acest parametru este specificat în foaia de date și variază cu temperatura și tensiunea porții.

Calcularea Rds (on) în proiectarea circuitelor

Pentru a calcula Rds eficiente (on) într-un circuit, ia în considerare valoarea maximă Rds (on) furnizată de producător la o tensiune specificată poarta. Reglați pentru efectele de temperatură și condițiile de funcționare. Formula este simplă:

Efficient Rds (on) = Rds (on) în condiții specificate

Factori care influenţează alegerea RDS (on)

  • Tensiune de poartă: Asigurați-vă că tensiunea de acționare a porții este suficientă pentru a activa pe deplin MOSFET, minimizând RDS (on).
  • Temperatura: Rds (on) crește cu temperatura, astfel încât să ia în considerare managementul termic.
  • Cerențe curente: Selectați un MOSFET cu RDS (on) suficient de scăzut pentru a manevra eficient curentul maxim de încărcare.
  • Disiparea puterii: Calculează pierderea de putere utilizând P = I2 × Rds (on) pentru a se asigura că limitele termice nu sunt depășite.