Để hiểu được sự tập trung của những người mang tính nạp điện tử, chúng ta cần thiết thiết thiết thiết kế thiết bị điện tử, và bài này thảo luận về những kỹ thuật thông dụng và cung cấp thí dụ để giải quyết các vấn đề có liên quan một cách hữu hiệu.

Những nhận xét cơ bản về sự hấp thụ năng lượng

Nạp tập trung vào số điện tử hay lỗ trong vật liệu bán dẫn. Nó ảnh hưởng đến khả năng dẫn điện và hiệu suất thiết bị. Tập trung tiêu chuẩn từ [FLT: 0] [FLT: 1] [FLT: 1] ) [FLT:] bộ đệm mỗi cm] [FL:4].

Kỹ thuật để giải quyết vấn đề về tập trung

Một số phương pháp được dùng để xác định sự tập trung tính phí của người đưa tin, kể cả:

  • Định luật hành động của mas: liên kết electron và lỗ thông qua sự tập trung nội tại của vật liệu.
  • Thống kê Fermi-Dirac: Cung cấp các tính toán chi tiết dựa trên phân phối năng lượng.
  • Điều kiện của Equilibrium: Dùng mức độ doping và nhiệt độ để tìm các mật độ mang tính chất truyền đạt.

Vấn đề về gương mẫu và giải pháp

Giả sử một máy bán dẫn silicon được dùng để phân phối [FLT:] với số người hiến tặng tại mức độ [FLT: 0]10 [FLT: 1]] 16 [FLT:] -3 . Nhiệt độ là nhiệt độ, và sự tập trung nội tại của silicon [FL:6]. [FL: 1] [FL: 10] [FL: 10] [FL:] [FL:] [FL:]] [FL:] [L:] [L:] [L:] [L] [L] [L:] [L]] [L]] [L:] [L]] [L]] [L] [L]] [L]] [L]] [L]] [L]] [L: 10 [L]]] [L] [L]] [L]] [L]]] [L]] [L]] [L: 10 [L]]]]] [L]] [L]]

Sử dụng luật hành động hàng loạt:

n ) ) ) ) ) )

Vì các dấu chấm là n, các mẫu phần lớn là điện tử, và nồng độ điện tử xấp xỉ bằng độ tập trung của người hiến:

) 16 ) ) )-3 ) )

Độ tập trung lỗ p có thể tìm thấy như:

p = n ) ) ) ) / n [FL:16][FL:10 [FL: 10] 10 10 [FL:] [FL:]] [FL:] [FL:]] [FL: 10] [FL: 10]; [FL: 10 [FL: 10] [FL: 10] [FL:] [FT] [FL:]] [FT]] [FT]] [FT]] [FT:]] [FL:] [FT]] [FL:]] [FL:]] [FL: 10 [FL] [FL: 10] [FL]] [FL: 10 [FL: 10] [F]]]] [FL: 10] [FL] [F