Kỹ thuật cắt lớp bao gồm việc thay đổi tính chất điện tử của vật liệu để đạt được chức năng mong muốn, và cần thiết trong việc phát triển các thiết bị bán dẫn, các thiết bị điện tử và pin mặt trời.

Kỹ thuật viên của băng Gap Gap

Một số phương pháp được sử dụng để thay đổi khoảng cách giữa các vật liệu. bao gồm các ứng dụng doping, căng và lượng tử bị giam giữ.

Kỹ thuật thực tiễn

Thực hiện đưa chất lỏng vào vật liệu để thay đổi tính chất điện. Lấy thí dụ, thêm phốtpho vào silicon tạo ra n- types có khả năng bán dẫn (GLT:2). Kỹ thuật đào tạo [FLT:] có thể ứng dụng các chất lỏng để thay đổi khoảng cách nguyên tử, ảnh hưởng đến cấu trúc ban nhạc. [FL:4] Thiết bị giam cầm [FL:5] xảy ra như các chấm nano, nơi mà sự giảm thiểu hiệu quả của các khoảng cách giữa các dải phân tử.

Tính toán trong kỹ thuật tạo băng

Tính toán thường bao gồm việc mô hình cấu trúc mạng sử dụng phương pháp như lý thuyết chức năng mật độ (DFT). Có thể ước lượng năng lượng khoảng trống ban nhạc (Eg) bằng cách phân tích mật độ điện tử của các trạng thái hoặc sử dụng công thức thực nghiệm. Chẳng hạn, hiệu ứng trường lượng tử trong các mô phỏng nano có thể được ước lượng xấp xỉ bởi phương trình Brus:

Eg(nano) = Eg(bulk) + (Cấp 2 - 2R2) * (1/me + 1/h))

Nơi [FLT: 0] [FLT:no] [FLT:] [LT:] [G:] [G:3] [G:] [G:] khoảng cách băng tải vật liệu ], R [FL:] [FL:] [FL:] là bán kính hạt nhân [FL:5], và [FL: 7] [FL: 8] và [F: 8] [Fh] [L:] [L]

Tóm tắt

Kỹ thuật này kết hợp các kỹ thuật và tính toán để thay đổi tính chất điện tử của vật liệu.