Trên- nền (R[FLT: 0] [FLT:] ) là một tham số quan trọng trong thiết bị MOSFET, ngụ ý sự kháng cự giữa ống thoát nước và nguồn khi thiết bị bật. Tính toán chính xác của R [FLT: 2] [FLT: 1] [FLT:]] [FLT:]]] giúp thiết kế mạch điện hiệu quả và chọn thành phần thích hợp.

Hiểu sự kiên trì

Tính năng bật và hoạt động của thiết bị bị bị ảnh hưởng. Nó ảnh hưởng đến việc ngắt điện và nhiệt trong hệ thống MOSFET. thấp hơn R[FLT: 0] [FLT: 0]] giá trị [các giá trị giá trị có khả năng cao.

Những bước để tính tính tính đến sự bền bỉ

Để tính toán R [FLT:] [on] , đo điện áp rơi qua đường ống và cổng nguồn khi MOSFET đầy đủ, và chia cho dòng chảy. Hãy dùng công thức:

R [FLT:] ) ) [FLT:] ) / I )

Những sự suy xét thực tế

Bảo đảm rằng máy MOSFET hoạt động bên trong giá trị cửa đã xác định để đạt được một thiết bị điện áp đúng trên bang. đo lường và hiện tại trong điều kiện ổn định để có được R [FLT: 0] [trên] [FLT: 1]. Nhiệt độ cũng ảnh hưởng đến sự kháng cự; thực hiện đo nhiệt độ hoạt động đã định.

Mẹo phụ

  • Sử dụng một đơn vị bảo mật đa mét hoặc nguồn chính xác để đo lường.
  • Thực hiện kiểm tra điện áp cổng của thiết bị.
  • Ghi lại các phép đo ở các dòng nước khác nhau để quan sát tuyến tính.
  • Hãy xem xét hiệu ứng nhiệt trong quá trình thử nghiệm hiện tại.