Kháng cự động trong các ô diode là một tham số quan trọng trong ứng dụng tần số cao. Nó ảnh hưởng đến cách các ô âm phản ứng nhanh chóng của điện áp và hiện tại. Tính toán chính xác của lực kháng này giúp thiết kế các mạch hoạt động hiệu quả ở tần số cao.

Hiểu được sự kháng chiến động

Kháng chiến động, được biết đến như là sự kháng cự tăng trưởng hay nhỏ, đại diện cho sự thay đổi điện áp trên một diode cho một sự thay đổi nhỏ trong hiện tại. nó khác với sự kháng cự tĩnh hay DC, dựa trên các đặc điểm tổng quan của diode.

Tính toán phản kháng động

Kháng cự năng động (rd) có thể tính bằng phương trình diode của diode:

rd = (n * V ) ) / I

Ở đâu:

  • n là yếu tố lý tưởng (thường gần 1 cho diodes silicon)
  • t [FLT:] là điện áp nhiệt [~25 mV tại nhiệt độ phòng]
  • I là dòng chảy thiên vị về phía trước

Ứng dụng trong các mạch tần số cao

Trong các mạch tần số cao, sự kháng cự năng động ảnh hưởng đến tốc độ chuyển đổi của diode. V[FLT: 0] [FLT:] được ưu tiên để đáp ứng nhanh hơn và mất tín hiệu tối thiểu. Những nhà thiết kế thường tính r [FLT:] tại hoạt động hiện thời để hiệu suất tối ưu hóa vòng quanh.

Tóm tắt

Tính toán sự kháng cự năng động của một diode bao gồm hiểu hành vi ký hiệu nhỏ và sử dụng phương trình diode. Tham số này cần thiết để thiết thiết thiết lập các mạch điện tử có độ rộng lớn cần thiết để kiểm soát chính xác các tín hiệu trả lời.