Tiềm năng được xây dựng trong một giao diện p là một tham số quan trọng ảnh hưởng đến hành vi của các thiết bị bán dẫn. Nó có thể được xác định thông qua nhiều phương pháp, bao gồm các phép tính lý thuyết và các phép đo lường thực nghiệm. Hướng dẫn này cung cấp các bước thực tế để ước tính tiềm năng được xây dựng chính xác.

Tính toán theo lý thuyết về khả năng xây dựng

Cách tiếp cận thông thường nhất bao gồm việc sử dụng sự tập trung doping của các vùng kiểu p và n. Công thức là:

bi [FLT:] [FLT:] / [FL:6] [FL:] [FL:][FL:][FL:] [FL:] [FL: 10] [L:] [L: 11] [L:] [L: 11]

Ở đâu:

  • bi ) ) = tiềm năng xây dựng
  • k = tùy biến của dữ liệu
  • T = nhiệt độ ở Kelvin
  • q = điện cơ bản
  • Na ) ) = hay doping tập trung
  • Nd ) ) = độ tập trung doping]
  • n i ) ) = sự tập trung nội tại

Phương pháp đo lường thử nghiệm

Một phương pháp thực tế bao gồm đo chiều rộng độ rộng độ rộng bị cắt giảm và độ rộng điện tích được xây dựng. Kỹ thuật số hóa bao gồm sự phân tích và quang số hiện thời (I-V). Những phương pháp này cung cấp dữ liệu thực nghiệm để ước tính tiềm năng.

Những bước thực tiễn để đo lường

Để xác định tiềm năng thử nghiệm:

  • Chuẩn bị thiết bị giao thoa p và kết nối nó tới một thiết lập đo lường.
  • Thực hiện các phép đo C-V để lấy được sự giảm thiểu tại các điện áp khác nhau.
  • Đồ thị 1/C ]2 [FLT: 1] so với điện áp và tìm cách chặn để ước tính tiềm năng xây dựng.
  • Thay vào đó, đo điện thế mở theo điều kiện cân bằng.