Hiểu được tiềm năng tích hợp trong các giao thoa bán dẫn là thiết yếu để thiết kế và phân tích các thiết bị điện tử. Bài này khám phá các phương pháp thực tiễn để xác định tham số quan trọng này một cách chính xác.

Phương pháp 1: Tính năng- valtage (C-V)

Các đo C-V bao gồm việc phân tích khu vực bị phá vỡ của một diode. bằng cách áp dụng một định kiến ngược và đo lường tính đồng thời, tiềm năng tích hợp có thể được tính bằng cách sử dụng các mối quan hệ:

V bi = (kT/q) * Inn(N A * N D / n i^2 + V R)

Nơi V bi là tiềm năng tích hợp, N A và N D đang làm việc tập trung, n i là tập trung nội tại, V R là sự định kiến ngược lại, và những biểu tượng khác có ý nghĩa thông thường của chúng.

Phương pháp 2: Open-Circuit Voltage

Phương pháp này đo điện thế mạch mở (V OC) của một diode dưới ánh sáng. V OC liên quan đến tiềm năng tích lũy của phương trình:

Ở đây, I L là ảnh hiện thời, và tôi 0 là dòng điện bão hoà. Bằng cách đo lường V OC và biết các giá trị hiện tại, V bi có thể ước lượng.

Phương pháp 3: Điện từ trường và quang học

Các phương pháp quang phổ bao gồm phân tích các thông số của giao điểm. các bước sóng cao nhất liên quan đến khoảng cách năng lượng, mà có thể được sử dụng để xác định tiềm năng tích hợp gián tiếp.

Những phương pháp này rất hữu ích cho các vật liệu có thể đo lường điện.

Tóm tắt

  • Đo lường tính năng
  • Phương pháp nén Open- Circit
  • Phân tích phát ra quang phổ