Thời gian phục hồi ngược là một tham số quan trọng trong hiệu suất của các ô diode sử dụng trong các mạch điện tử tốc độ cao. Nó ảnh hưởng đến tốc độ một ô cửa có thể chuyển đổi nhanh chóng từ điều khiển sang trạng thái không điều khiển, mà là quan trọng trong ứng dụng tần số cao.

Name

Thời gian phục hồi ngược là thời gian cần thiết cho một diode để dừng điều khiển sau khi điện áp trên nó đã ngược lại. Trong thời gian này, tính năng tích trữ trong diode phải được gỡ bỏ trước khi diode có thể chặn toàn bộ điện áp theo chiều ngược lại.

Tính toán thời gian phục hồi ngược

Tính toán bao gồm việc phân tích điện tích của diode và dòng điện trong khi chuyển đổi. Một công thức đơn giản là:

ttr Qr / Ir

Nơi [FLT: 0]Qr là bộ sạc được lưu trữ và ) Ir là dòng điện phục hồi ngược. đo lường chính xác đòi hỏi thiết bị đặc biệt để bắt giữ hành vi tạm thời trong khi chuyển đổi.

Ảnh hưởng trên ứng dụng có đánh dấu cao

Trong các mạch điện tốc độ cao, thời gian phục hồi có thể dẫn đến sự tăng sự mất mát chuyển đổi và nhiễu điện từ.

Những người thiết kế chọn những diode với thời gian phục hồi ít để cải thiện hiệu suất. Những diode nhanh chóng phục hồi và những diode của Schottky là những lựa chọn thông thường trong những ứng dụng như thế.

  • Giảm thiểu tổn thất khi chuyển đổi
  • Sự can thiệp điện từ thấp
  • Hiệu suất đã cải thiện
  • Tính chất toàn vẹn tín hiệu tăng cao