Việc tập trung vào máy tính là những tham số quan trọng trong việc tạo ra thiết bị bán dẫn. Nó ảnh hưởng đến tính chất điện như khả năng điều khiển, chuyển động và hiệu suất của thiết bị tổng thể. Hiểu cách tính và điều chỉnh mức độ làm việc giúp hiệu quả tối ưu hóa thiết bị và đáng tin cậy.

Tính toán các tập trung doping

Sự tập trung doping thường được thể hiện trong các nguyên tử mỗi cm khối (cm[FLT: 0] 3 ). Để xác định mức độ phân tử doping, số nguyên tử dopant được đưa ra trong suốt quá trình tạo ra được chia bởi khối lượng của vùng đóng dấu.

Trình điều hành (N) ) ) a = Số nguyên tử dopant / Volume )

Thí dụ, nếu 1×10 15 ) [FLT: 1]] ) [FLT:] [FLT:]] [FLT:]3 , thì sự tập trung doping là 1 fan [FLT: 7) [FLT] [FLT] [FLT:] [FT].8] [FT].

Hiệu ứng khi trình bày thiết bị

Mức độ của dấu khắc ảnh hưởng đến một số tham số thiết bị then chốt. Tập trung cao hơn thường tăng độ điều khiển nhưng có thể giảm sự di chuyển của tàu. Ngược lại, mức độ khoan thấp hơn có thể cải thiện sự di chuyển nhưng giảm tính điều khiển.

Các hiệu ứng này có thể đạt được những đặc điểm thiết bị mong muốn. Ví dụ, trong các tiềm thức bán dẫn, mức độ đánh dấu trong nguồn và các vùng thoát nước ảnh hưởng đến dòng chảy và chuyển đổi tốc độ hiện tại.

Những sự suy xét thực tế

Các sản xuất điều chỉnh độ tập trung doping thông qua các tiến trình được điều khiển như cấy ghép eon hoặc khuếch tán. Tính toán chuẩn để đảm bảo hồ sơ kiểu máy tính đáp ứng các đặc điểm thiết bị, ảnh hưởng đến các tham số như điện áp ngưỡng và dòng chảy bị rò rỉ.

  • cấy ghép trực tiếp
  • Quá trình phân tán
  • Bước bổ trợ
  • Kĩ thuật đo lường