Hiểu được vùng bị hỏng trong các ô cửa là thiết yếu cho việc tối ưu hóa hiệu suất thiết bị. Tính toán chính xác của vùng này giúp thiết kế các ô cửa tốt hơn và các ô p-n, được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử.

Khu vực bị phá hủy ở Schottky Dides

Trong các ô phân giải Schottky, vùng bị cắt giảm hình thành tại giao diện xử lý kim loại. Độ rộng tùy thuộc vào mức độ khác biệt chức năng và mức độ in. Độ rộng độ giảm dần có thể tính bằng khả năng tích hợp và làm việc.

Độ rộng độ rộng độ rộng độ tháo dỡ (W) được đưa ra bởi:

W = st( (2 * * V bi) / (q * N d))

Nơi mà sự cho phép của máy bán dẫn, V bi là tiềm năng tích hợp, q là điện cơ bản, và N d là sự tập trung của người hiến tặng.

Khu vực bị phá hủy trong p-n Dides

Trong các ô p- n, vùng phân hủy hình thành các đường nối giữa các vật liệu kiểu p và n. Độ rộng ảnh hưởng tới hành vi định kiến về phía trước và ngược. Tính toán chiều rộng này liên quan đến các nguyên tắc tương tự nhưng cân nhắc cả hai bên của giao điểm.

Độ rộng độ rộng độ rộng độ tháo dỡ (W) trong một giao diện p-n được tính bằng:

W = sqt( (2 * * * * (V bi + V R) / (q * (N A + N D) / (N A * N D) )

Nơi V R là sự thay đổi thành kiến, N A và N D là sự chấp nhận và sự phân tâm của người hiến.

Quan tâm đến thiết kế

Tính toán chính xác vùng bị phá vỡ cho phép các kỹ sư dự đoán ứng xử thiết bị theo điều kiện định kiến khác nhau. Điều chỉnh cấp tính năng và tính chất vật chất có thể tối ưu hóa độ rộng độ giảm dần cho ứng dụng cụ thể.

Yếu tố chính ảnh hưởng đến vùng bị cắt giảm bao gồm độ tập trung doping, vật liệu cho phép và điện áp áp ứng dụng. Điều khiển đúng các thông số này làm tăng hiệu suất và tuổi thọ thiết bị.