了解双极交叉晶体管(BJTs)的截断和饱和电压对于设计可靠的切换电路至关重要,这些参数决定了晶体管的操作区域,并影响电路的效率和稳定性.

BJT 开关中的断电

断流电压是开启晶体管所需的最小基电压(VBE),当VBE]低于此阈值时,晶体管仍留在断流区,起到开关作用,一般情况下,这种电压在0.6至0.7伏左右,用于硅BJT.

为了确保晶体管开关完全关闭,基盘驱动电压应保持在这一截断水平以下,适当的偏移可以防止意外传导,降低功耗.

BJT 开关中的饱和电压

饱和电压(V]CE(sat))是晶体管完全开启时的集热器-乳电压,它表示在饱和区中电压跨晶体管的下降,一般为硅BJT的0.1至0.3伏左右.

实现低VCE(sat)对于高效的切换至关重要,因为它能将功率损失降到最低. 要达到饱和,基流必须足够高,往往为所需集热电流的倍数,以确保晶体管被推向深饱和.

强力设计计算电压

设计一个强力的BJT开关需要选择可明确定义断流和饱和区域的基数和集电器电压,这包括确保在ON状态下基数驱动电压超过断流阈值,在Off状态下仍低于该阈值。

此外,计算晶体管参数和温度效应的变化很重要,使用保守的电压边值有助于在不同条件下保持可靠的运行。

密钥电压摘要

  • 库托夫伏特(V]BE]): ~0.6-0.7 V 硅BJTs
  • 饱和伏(V]CE(sat)):~0.1-0.3 V
  • 基准驱动电压[]:必须高于截断点才能开启
  • 集合电压:应位于饱和度的VCE(sat)[以下.