低噪声放大器(LNA)是通信系统的基本组件,需要仔细设计以尽量减少噪音,最大限度地提高信号质量. 优化晶体管性能是实现高性能LNA的一个关键方面. 本条为设计带有晶体管的低噪声放大器提供了实用的提示.

选择右转晶体管

选择适当的晶体管型是根本的,典型的情况是,异交极性双极晶体管(HBT)和金属-氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)在LNAs中使用,HBTs在高频率时一般提供较低的噪声数字,而MOSFET则提供更好的输入阻力匹配.

低噪声偏差

适当的偏差能确保晶体管在低噪音的最佳区域运行。 保持稳定的偏差点能减少可能增加噪音的波动。 使用低热噪声的偏差网络,并考虑温度补偿技术。

障碍匹配

将晶体管的输入和输出阻力与源头匹配,并负载将反射最小化,并最大化电源传输。使用与高质量导电器和电容器匹配的网络。精确的阻力匹配可以降低噪声数,提高整体放大器性能。

版式和寄生虫

精心的PCB布局会减少寄生素和电容,从而降低噪声性能. 保持晶体管接近匹配网络,并尽量减少铅长度. 使用地面平面和适当的屏蔽以减少电磁干扰.