p-n交叉点的内置潜力是影响半导体设备行为的重要参数,可以通过包括理论计算和实验测量在内的各种方法来确定,本指南提供了精确估计内置潜力的实际步骤.

内置潜力的理论计算

最常见的方法是使用p型和n型区域的兴奋剂浓度。

V bi =(kT/q) *IN(Na ]]] [N]d ]]/ni ]2 ]]]]]]]]]]]]]]

· :

  • V bi =内置潜力
  • k ]=波尔茨曼常数
  • T = 开尔文温度
  • q =基本电荷
  • N a =接受者兴奋剂浓度
  • N d =捐助方兴奋剂浓度
  • n i =内在载体浓度

实验测量方法

一种实用方法涉及测量耗竭宽度和内置电场,技术包括电容电压剖面和电流电压测量,这些方法提供了经验数据,用以估计潜力。

计量的实际步骤

为试验性地确定内在潜力:

  • 准备p-n交叉设备,并将其连接到测量设置上.
  • 进行C-V测量,以获得各种电压的耗竭电容。
  • 刻版1/C2对电压,并找到截取,以估计内置潜力.
  • 或者,在平衡条件下测量开路电压。