了解晶体管的操作区域对于电子电路的设计和故障排除至关重要。 晶体管主要在三个区域运作:断流、活性、饱和。 确定这些区域需要分析电压和装置内的电流条件。

晶体管区域理论基础

三大主区域由晶闸管终端的电压所决定,在双极相位晶闸管(BJT)中,基电源和基电源电压决定了运行状态,当基电源交叉不偏前,晶闸管处于截断状态,当两个相位向前偏前,则处于饱和状态,如果只有基电源交叉管偏前,集器基电源交叉管处于反向偏前,晶闸管位于活动区域.

实用测量技术

使用多米测量电压和电流有助于确定操作区域。

  • 基电源电压( V BE)
  • 收集器- Emiter 电压( V CE)
  • 基流( I B)
  • 收藏器当前( I C)

活性区域内硅BJT的典型值是V BE约0.6–0.7V,V CE大于V BE. 在饱和度中,V CE下降至V BE以下,通常在0.2V左右. 在切换中,V BE和V CE都接近于零,电流可忽略不计.

确定业务区

通过将测量的电压与已知阈值进行比较,可以识别操作区域,例如,如果V BE大约0.7V和V CE很高,晶体管在活动区域中,如果V CE低,电流高,则处于饱和状态,如果电流最小,电压接近零,则设备处于截断状态.