了解如何计算 DRAM 模块中的内存刷新率对于保持数据完整性至关重要。 适当的刷新率可以防止内存单元格中充电泄漏导致的数据损失。 本文解释了确定 DRAM 模块的适当刷新率的过程和关键因素 。

什么是 DRAM 刷新率 ?

DRAM中的刷新率是指内存单元格被充电以保留数据的次数。由于DRAM将数据作为电荷存储在电容器中,这些电荷随时间逐渐泄漏,定期刷新周期恢复电荷,确保数据保持完好无损.

影响刷新率的因素

影响适当刷新率计算的若干因素:

  • 记忆细胞漏泄:[]充电从内存细胞中消失的速度.
  • 数据保留时间:] 最低数据必须保留而不刷新.
  • 操作温度: 温度升高会增加渗漏,需要更频繁的刷新.
  • 记忆模块规格:[] 制造商推荐的刷新间隔.

计算刷新率

确定刷新间隔的基本公式基于数据保存时间。例如,如果内存单元格保留数据至少64毫秒,那么刷新率应设定为至少每64毫秒或更短刷新一次。这保证了数据不会因充电泄漏而丢失。

计算刷新数每秒,请使用以下方法:

重新进行中间(ms) = 数据保留时间(ms)]

例如,如果数据保存时间为64毫秒,那么刷新率至少应该是:

新鲜率=1000毫秒/64毫秒 ⁇ 每秒15.6倍

结论

计算刷新率涉及了解内存的数据保存时间和环境因素. 确保刷新率的设定适当有助于保持数据完整性,防止DRAM模块中的数据丢失.