晶体管操作区对于电子电路的设计和分析至关重要。 了解如何进行逐步计算有助于确定晶体管是否处于饱和、断流或活动区域。 本条为这些计算提供了直接的方法。

理解晶体管区

双极交叉晶体管(BJT)根据终端的电压不同在不同区域运行,主要两个区域是截流和饱和,在截流中,晶体管关闭,没有流畅,在饱和中,晶体管完全开通,允许最大流畅.

逐步计算过程

为确定行动区域,遵循这些步骤:

  • 识别供电电压和连接晶体管的阻力.
  • 使用基于基阻抗器和输入电压的Ohm定律计算基流(IB).
  • 使用晶体管的当前增益(β)确定采集器流(I]C) :IC=β×IB.
  • 使用基什霍夫的电压定律计算集热器电压(VCE) 电压定律:VCC[ - I]C]× RC-VCE=0.
  • 比较VCE与饱和电压(V]CE(sat))和基电母电压(V]BE),以确定该区段的阈电压.

确定饱和度和截止度

如果VCE小于或等于VCE(sat)](一般在0.2V左右),晶体管处于饱和状态,如果VBE低于阈电压(硅BJTs约0.7V),晶体管处于断流状态,这些计算有助于设计具有理想切换特性的电路.