确定半导体连接器内置潜力的实用方法

了解半导体交叉点的内置潜力对于设计和分析电子设备至关重要,本条探讨了准确确定这一重要参数的实用方法。

方法1:电容-伏特加(C-V)测量

C-V测量涉及分析二极管的耗竭区域。通过应用反向偏差和测量电容,可以使用关系计算内在潜力:

V bi=(kT/q) *in(N A*N D/n i^2)+V R]

凡V bi为内置潜力,N A和N D为兴奋剂浓度,n i为内在载体浓度,V R为应用的反偏差,其他符号有其通常的含义.

这种方法测量了光线下二极管的开路电压(V OC). V OC与内置潜力相关,通过方程式:

V OC V bi-(kT/q) * in(I L/I 0)]

这里,I L是光流,I 0是饱和电流。通过测量V OC和了解当前值,V bi可以被估算.

光学方法包括分析交汇点的排放光谱,峰值排放波长涉及能量差距,可用于间接确定内置潜力。

这些方法对于电量测量有挑战性的材料是有用的.