了解如何计算多孔半导体的抗电性和导电性对于设计电子设备至关重要。本指南提供了根据兴奋剂水平和物质特性进行这些计算的实际步骤。

抵抗和导力的基本原理

耐力是衡量材料如何强烈反对电流流动的一种尺度。导电是耐力的反向,表明电流如何容易通过材料。两者的特性都取决于材料的成分和兴奋度。

计算耐力

剂量半导体的抗性((rho))可以使用公式计算:

(rho = frac{1 ⁇ q乘以 mu 乘以 N}]]] (中文(简体) ).

· :

  • q =基本电荷(~1.6×10]-19 C)
  • μ =充电承运人的机动性(cm2]2 /V ⁇ s)
  • N =兴奋剂浓度(cm-3]).

通过替代已知的数值,可以确定多普半导体的抗性.

计算导电性

电导性((西格玛))按电阻的对等性计算:

(西格玛 = q乘以 mu乘以 N)]

这一公式表明,增加兴奋剂浓度或载体流动性可增强导电性。

实例

如果一个硅半导体的浓度为1×1017] cm-3]. 如果电子的流动性为1350厘米2/V−s],那么:

耐力 :

(rho = frac{1 ⁇ (1.6乘10 ⁇ -19})) 1350乘1乘10 ⁇ 17 ⁇ ] ]].

导电性 :

(西格玛=(1.6乘10 ⁇ -19})1350乘1乘10 ⁇ 17})]]