为电路选择正确的MOSFET需要理解其抗电性,称为Rds(on). 此参数影响电源效率和热产生. Rds(on)的精确计算有助于选择一个符合性能要求的装置,同时尽量减少能量损失.

理解 Rds(关于)

Rds(on)是MOSFET完全打开时排水管和源终端之间的阻力. Lower Rds(on) 值表示功率分散较少的更好的导电。这个参数在数据表中指定,并随温度和门电压而变化。

计算电路设计中的 Rds( on)

为了计算电路中的有效Rds(on),请考虑制造商在指定的闸门电压中提供的最大Rds(on)值。根据温度效应和操作条件进行调整。公式是直截了当的:

有效Rds(on) =在指定条件下Rds(on)

影响 Rds(关于)选择的因素

  • Gate Voltage:[]确保门驱动电压足以完全开启MOSFET,将Rds(on)降到最小.
  • 温度:[] Rds(在)随温度增加,所以考虑热管理.
  • 当前的要求: 选择一个带Rds(在)低的,足以高效处理最大负载流的MOSFET.
  • 动力分离: 使用P=I2×Rds(on)计算功率损失,以确保不超出热限.