درک خواص ذاتی و بیرونی مواد نیمه هادی برای کاربرد آنها در دستگاه های الکترونیکی ضروری است.این خواص تاثیر می گذارد که چگونه نیمه هادی ها الکتریسیته را هدایت می کنند و به محرک های خارجی پاسخ می دهند.این مقاله روش هایی را برای تعیین دقیق این خواص مشخص می کند.

خواص Intrinsic از Semiconductors

خواص درون گرا ذاتی مواد نیمه هادی خالص هستند، آنها شامل پارامترهایی مانند انرژی شکاف باند، الکترون و غلظت سوراخ و هدایت الکتریکی هستند.این خواص می تواند از طریق تکنیک های مختلف تجربی اندازه گیری شود.

روش های تعیین Intrinsic Properties

برای تعیین خواص ذاتی، روش های زیر معمولاً مورد استفاده قرار می گیرند:

  • اسپکتوسکوپی جذب عملیاتی: انرژی شکاف گروه را با تجزیه و تحلیل جذب نور در طول موج های مختلف اندازه گیری می کند.
  • اندازه گیری اثر هال: [FLT 1] تمرکز حامل و تحرک را با استفاده از یک میدان مغناطیسی و اندازه گیری ولتاژ حاصل تعیین می کند.
  • هدایت گر و مستمر؛ به این معنی است که هدایت الکتریکی با دمایی متفاوت است که رفتار ذاتی را استنباط می کند.

خواص بیرونی از نیمه هادی ها

خواص بیرونی تحت تاثیر ناخالصی ها یا dopants اضافه شده به نیمه هادی است، این خواص شامل غلظت dopant، نوع هدایت (n-type یا p-type)، و تغییرات در رفتار الکتریکی است.

روش های تعیین املاک Extrinsic

تکنیک های زیر برای تجزیه و تحلیل خواص بیرونی استفاده می شود:

  • دومین سنجش توده ای یون (SIMS) : غلظت و توزیع را در مواد اندازه گیری می کند.
  • اندازه گیری های هدایت گر نوری: تغییرات هدایت را به دلیل سطوح دوپینگ ارزیابی می کند.
  • بهره وری (C-V) حرفه ای: پروفایل های dopant و گرادیان غلظت را تعیین می کند.