MOSFETのドレイン電流を計算することは、電子回路の設計と分析のために不可欠です。 それは、デバイスの動作領域を理解し、適切な式を適用することを含みます。 このガイドは、ドレイン電流を正確に決定するための実用的なアプローチを提供します。

MOSFETの運営地域を理解する

MOSFETは、主に3つの地域に展開しています。カトラ、トライオード(リニア)、サタレーション。この地域は、ドレイン電流を計算するために使用する式を決定します。

計算のための主変数

ドレイン電流を計算するには、次のパラメータが必要です。

  • [VGS[[]:ゲートツーソース電圧
  • [VDS[]: ドレイン・ツー・ソース電圧
  • [V]th[]: 境界電圧
  • [W]: MOSFETチャンネルの幅
  • L:チャンネルの長さ
  • μn[]:電子モビリティ
  • Cox:ユニット面積あたりの酸化容量

飽和中の排水の流れを計算する

MOSFETが飽和時に動作する場合、ドレイン電流(I[]])は、以下の方法で計算できます。

[]ID[]] =(1/2) * μ]n[]] * C]OX[] *(W / L) *(VGS] - V[[]] ] ]]] [[FLT]]]][[[[FLT]]]]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[FLT]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[

潮流の潮流を計算する

線形か三極区域では、下水管の流れは次によって与えられます:

[]ID[]] = μ]]] * COX[ *(W / L) * [(V[]]] - [V - [[FLT]] [[FLT]:[FLT]:[FLT][FLT:[FLT]]] [[FLT]]][FLT][[FLT]]]][[[[[FLT]]]][[[[[[[[[FLT]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[FLT]]]]]]]]]]]]]]]]][[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[

実用的な計算ステップ

正確な計算のためのこれらの手順に従ってください。

  • V[]GS[]]とV[]]DS[に基づいて、動作領域を決定します。
  • V]DS]の場合には飽和式を使用してください。 ≥(V]]GS - V[] - )。
  • V[]DS[]]]と[V[]]GS[ - V[] - ])。
  • 既知のパラメータを適切な式にインサートします。
  • 排水の流れをそれに応じて計算して下さい。