MOSFETs의 전력 측정 스트레스는 신뢰할 수있는 전력 전자 시스템을 설계하는 중요한 요소입니다. Proper 계산은 장치가 안전 한계 내에서 작동하며 실패를 방지하고 수명을 연장합니다. 이 문서는 계산 스트레스를 계산하기위한 주요 고려 사항 및 모범 사례에 대해 논의합니다.

Switching 스트레스를 이해

전환 응력은 회전에 있는 MOSFET에 의해 경험된 전기와 열 응력을 나타내고 회전 떨어져 전환. 이 긴장은 전환 사건과 전압 및 현재 수준 도중 에너지에 의해 주로 기인합니다.

계산의 주요 매개 변수

정확한 계산은 몇몇 모수를 포함합니다:

  • Drain-Source 전압 (VDS]]]]]]: 최대 전압은 장치 저항을 견딜 수 있습니다.
  • Drain Current (ID]]]]]]]: 전환 중에 MOSFET를 통해 흐름을 흘려.
  • Switching Frequency (fsw]]]]]]: 자주 두 번째로 전환하는 방법.
  • 턴온 및 턴오프 타임(t]에], toff): 전환 전환 전환의 지속 시간.
  • Gate Charge (Qg])]: 디바이스를 전환하는 데 필요한 충전.

전환 손실 계산

전환 손실은 각 전환 중에 에너지가 분산 된 것을 고려하여 계산됩니다. 전환 이벤트 당 에너지는 다음과 같이 대략적으로 될 수 있습니다.

E]switch = 0.5 × V]DS × ID] × (t]]에 + toff))

총 엇바꾸기 전력 손실은 그 때입니다:

Pswitch = E]switch × fsw]]]

디자인 고려 사항 및 모범 사례

전환 스트레스를 최소화하려면 다음의 관행을 고려하십시오.

  • 더 빠른 엇바꾸기를 위한 낙관 문 드라이브.
  • snubbers 또는 댐핑 네트워크를 사용하여 전압 스파이크를 줄일 수 있습니다.
  • 권장 전압 및 현재 등급 내에서 MOSFET를 운영합니다.
  • 열 분산을 처리하기 위해 적절한 열 관리 구현.
  • 적용 분야에 적합한 스위칭 특성을 가진 장치를 선택하십시오.