고주파 전환 중에 Mosfets의 전력 손실

고주파 엇바꾸기 도중 MOSFETs에 있는 힘 낭비는 능률적인 전자 회로를 디자인하기를 위해 근본적입니다. 정확한 계산은 과열을 방지하고 힘 장치의 믿을 수 있는 가동을 지킵니다.

MOSFETs의 전력 방산의 기본

MOSFET의 전력 흩어지기는 주로 전도 및 엇바꾸기 손실 때문에 발생합니다. 전도 손실은 장치가 온 상태에 있을 때, 전환 손실은 온 상태와 떨어져 국가 사이 전환 도중 생깁니다.

유도 손실은 공식을 사용하여 예상될 수 있습니다:

]P_cond] = I_]load ²] × R_]]DS(에) ]]

여기서 I_load]는 부하 전류와 R_]DS(on)는 MOSFET의 온 저항입니다.

전환 손실은 전압, 현재 및 전환 시간에 달려 있습니다. 대략적인 공식은:

P_switch = 0.5 × V_]DS × I_]load × (t_]rise + t_fall) × f_]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]

V_DS는 배수장치 자원 전압, t_rise]와 t_fall는 상승과 낙하 시간, f_]sw는 전환 주파수입니다.

총 전력 흩어지는 것은 전도 및 엇바꾸기 손실의 합계입니다:

P_총] = P_]컨드 + P_{] 스위치} ]

장치 온도, 게이트 충전 및 레이아웃과 같은 요인은 전력 흩어지기에 영향을 줄 수 있습니다. Proper 열 싱크 및 장치 선택은 고주파 엇바꾸기 도중 열 성과 관리에 중요합니다.